Технология изготовления оптоэлектронных устройств на полупроводниковых излучателях
Kalit so'zlar:
оптоэлектронные устройства, полупроводниковые излучатели, эпитаксия, GaAs, GaN, фотолитография, MOCVD, MBE, квантовая эффективность, светодиод, лазерный диод, микромонтажAnnotatsiya
В статье рассматриваются современные технологические процессы изготовления оптоэлектронных устройств на основе полупроводниковых излучателей. Описаны ключевые этапы производства, включая эпитаксиальный рост методом MOCVD и MBE, формирование p–n-переходов, фотолитографию, травление, металлизацию и микромонтаж. Особое внимание уделено выбору материалов - GaAs, GaN, InGaN, AlGaN - и их влиянию на спектральные и энергетические характеристики излучения. Приведены экспериментальные результаты оптимизации толщины активного слоя и улучшения квантовой эффективности. Рассмотрены вопросы интеграции оптоэлектронных приборов в волоконно-оптические системы и сенсорные модули. На основе анализа предложены рекомендации по повышению яркости, снижению теплового сопротивления и увеличению срока службы устройств
Библиографические ссылки
1. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 2018.
2. Kasap S. Optoelectronics and Photonics. Pearson, 2020.
3. Яровенко А.В. Оптоэлектроника: основы, материалы, технологии. М.: Радио и связь, 2019.
4. Holonyak N., Bevacqua S.F. Coherent and incoherent light emission in semiconductors, J. Appl. Phys., 2021.
5. Mishra U.K., Parikh P. GaN-Based Devices and Circuits, IEEE Trans. Electron Devices, 2022.
